三星V9 QLC闪存技术重磅来袭：280层堆叠引领存储新纪元

　　1月30日消息，三星近日透露，他们正在积极研发下一代V9 QLC闪存技术，该技术将实现高达280层的堆叠，预计在年内正式问世。这一技术的革新将带来存储容量和性能的显著跃升。

　　据悉，三星V9 QLC闪存技术的存储密度将达到惊人的每平方毫米28.5Gb，相较于当前市场上领先的长江存储232层QLC技术的20.62Gb，提升了高达36%。与此同时，其他竞争对手的QLC方案在存储密度方面更是相形见绌，如美光的232层方案为19.5Gb，SK海力士的176层方案为14.4Gb，以及西数/铠侠的162层方案为13.86Gb。这一显著优势意味着，基于V9 QLC技术的SSD在理论上将能够实现单面8TB、双面16TB的超高容量，当然，最终产品的容量大小还需根据市场需求进行调整。

　　在性能方面，三星V9 QLC闪存技术同样表现出色。据本站了解，其最大传输率可达到3200MT/s，相较于目前市场上最高的2400MT/s，提升了一个档次。这一性能表现甚至能够满足未来PCIe 6.0方案的需求，展现出强大的前瞻性。然而，QLC方案在实际应用中往往依赖于pSLC缓冲技术，需要将部分容量用作缓存，因此其实际性能表现仍有待观察。尽管如此，随着TLC技术的潜力逐渐耗尽，QLC已经成为市场上的主流选择。各家厂商纷纷转向QLC技术，三星自2022年起也将主要精力投入到了QLC技术的研发之中。